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GermanyDMP3165SVT-7
Resumen del número de pieza
Número de pieza del fabricante
DMP3165SVT-7
Explicación
MOSFET BVDSS: 25V-30V TSOT26
Descripción detallada
P-Channel 30 V 2.7A (Ta) 800mW (Ta) Surface Mount TSOT-26
Fabricación
Diodes Incorporated
Plazo de entrega estándar
Modelo edacad
Embalaje estándar
3,000
Inventario de proveedores
Atributos del producto
Mfr
Diodes Incorporated
Series
-
Package
Tape & Reel (TR)
Product Status
Obsolete
FET Type
P-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
30 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
2.7A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
3.3V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
95mOhm @ 2.7A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
6.8 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
287 pF @ 15 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
800mW (Ta)
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Supplier Device Package
TSOT-26
Package / Case
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Base Product Number
DMP3165
Clasificaciones medioambientales y de exportación
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Otros nombres
-
Categoría
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/Diodes Incorporated DMP3165SVT-7
Documentos y medios de comunicación
Environmental Information
1(Diodes Environmental Compliance Cert)
PCN Obsolescence/ EOL
1(Mult Dev EOL 17/Feb/2022)
PCN Other
1(Subs 2-17-2023)
Cantidad y precio
-
Alternativas
-