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GermanyLN100LA-G
Resumen del número de pieza
Número de pieza del fabricante
LN100LA-G
Explicación
MOSFET 2N-CH 1200V 6LFGA
Descripción detallada
Mosfet Array 1200V (1.2kV) 350mW Surface Mount 6-LFGA (3x3)
Fabricación
Microchip Technology
Plazo de entrega estándar
Modelo edacad
Embalaje estándar
Inventario de proveedores
Atributos del producto
Mfr
Microchip Technology
Series
-
Package
Tape & Reel (TR)
Product Status
Obsolete
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Configuration
2 N-Channel (Cascoded)
FET Feature
-
Drain to Source Voltage (Vdss)
1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
-
Rds On (Max) @ Id, Vgs
3000Ohm @ 2mA, 2.8V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.6V @ 10µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
-
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
50pF @ 25V
Power - Max
350mW
Operating Temperature
-25°C ~ 125°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Package / Case
6-VFLGA
Supplier Device Package
6-LFGA (3x3)
Base Product Number
LN100
Clasificaciones medioambientales y de exportación
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Otros nombres
-
Categoría
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/FET, MOSFET Arrays/Microchip Technology LN100LA-G
Documentos y medios de comunicación
Datasheets
1(LN100)
Environmental Information
()
PCN Packaging
1(Label and Packing Changes 23/Sep/2015)
HTML Datasheet
1(LN100)
Cantidad y precio
-
Alternativas
-