Resumen del número de pieza

Número de pieza del fabricante
FDU6696
Explicación
N-CHANNEL POWER MOSFET
Descripción detallada
N-Channel 30 V 13A (Ta), 50A (Tc) 1.6W (Ta), 52W (Tc) Through Hole I-PAK
Fabricación
Fairchild Semiconductor
Plazo de entrega estándar
Modelo edacad
Embalaje estándar
329
Inventario de proveedores

Atributos del producto

Mfr
Fairchild Semiconductor
Series
PowerTrench®
Package
Bulk
Product Status
Active
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
30 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
13A (Ta), 50A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
8mOhm @ 13A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
24 nC @ 5 V
Vgs (Max)
±16V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
1715 pF @ 15 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
1.6W (Ta), 52W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Supplier Device Package
I-PAK
Package / Case
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

Clasificaciones medioambientales y de exportación

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Affected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Otros nombres

2156-FDU6696
FAIFSCFDU6696

Categoría

/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/Fairchild Semiconductor FDU6696

Documentos y medios de comunicación

Datasheets
1(FDD6696)

Cantidad y precio

Cantidad: 329
Precio unitario: $0.91
Embalaje: Bulk
Multiplicador mínimo: 329

Alternativas

-