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GermanyRND030N20TL
Resumen del número de pieza
Número de pieza del fabricante
RND030N20TL
Explicación
MOSFET N-CH 200V 3A CPT3
Descripción detallada
N-Channel 200 V 3A (Tc) 850mW (Ta), 20W (Tc) Surface Mount CPT3
Fabricación
Rohm Semiconductor
Plazo de entrega estándar
Modelo edacad
RND030N20TL Models
Embalaje estándar
2,500
Inventario de proveedores
Atributos del producto
Mfr
Rohm Semiconductor
Series
-
Package
Tape & Reel (TR)
Product Status
Active
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
200 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
3A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
870mOhm @ 1.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5.2V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
6.7 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
270 pF @ 25 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
850mW (Ta), 20W (Tc)
Operating Temperature
150°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Supplier Device Package
CPT3
Package / Case
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Base Product Number
RND030
Clasificaciones medioambientales y de exportación
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Otros nombres
846-RND030N20TLTR
RND030N20TLDKR
RND030N20TLTR
RND030N20TLCT
Categoría
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/Rohm Semiconductor RND030N20TL
Documentos y medios de comunicación
Datasheets
1(RND030N20TL)
HTML Datasheet
1(RND030N20)
EDA Models
1(RND030N20TL Models)
Cantidad y precio
-
Alternativas
-