English
China
Rusia
Italy
GermanyBFP 640FESD E6327
Resumen del número de pieza
Número de pieza del fabricante
BFP 640FESD E6327
Explicación
RF TRANS NPN 4.7V 46GHZ 4TSFP
Descripción detallada
RF Transistor NPN 4.7V 50mA 46GHz 200mW Surface Mount 4-TSFP
Fabricación
Infineon Technologies
Plazo de entrega estándar
Modelo edacad
Embalaje estándar
3,000
Inventario de proveedores
Atributos del producto
Mfr
Infineon Technologies
Series
-
Package
Tape & Reel (TR)
Product Status
Obsolete
Transistor Type
NPN
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
4.7V
Frequency - Transition
46GHz
Noise Figure (dB Typ @ f)
0.55dB ~ 1.7dB @ 150MHz ~ 10GHz
Gain
8B ~ 30.5dB
Power - Max
200mW
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
110 @ 30mA, 3V
Current - Collector (Ic) (Max)
50mA
Operating Temperature
-
Mounting Type
Surface Mount
Package / Case
4-SMD, Flat Leads
Supplier Device Package
4-TSFP
Base Product Number
BFP 640
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
Otros nombres
BFP640FESDE6327CT
BFP 640FESD E6327TR-ND
SP000607096
BFP640FESDE6327
BFP 640FESD E6327DKR-ND
BFP640FESDE6327DKR
BFP 640FESD E6327CT-ND
BFP 640FESD E6327CT
BFP 640FESD E6327DKR
BFP640FESDE6327TR
BFP 640FESD E6327TR
Categoría
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/Bipolar (BJT)/Bipolar RF Transistors/Infineon Technologies BFP 640FESD E6327
Documentos y medios de comunicación
Other Related Documents
1(Part Number Guide)
Cantidad y precio
-
Alternativas
-