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GermanyIRLR8259PBF
Resumen del número de pieza
Número de pieza del fabricante
IRLR8259PBF
Explicación
MOSFET N-CH 25V 57A DPAK
Descripción detallada
N-Channel 25 V 57A (Tc) 48W (Tc) Surface Mount TO-252AA (DPAK)
Fabricación
Infineon Technologies
Plazo de entrega estándar
Modelo edacad
Embalaje estándar
75
Inventario de proveedores
Atributos del producto
Mfr
Infineon Technologies
Series
HEXFET®
Package
Tube
Product Status
Discontinued at allaboutcomponents.com
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
25 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
57A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
8.7mOhm @ 21A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.35V @ 25µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
10 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
900 pF @ 13 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
48W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Supplier Device Package
TO-252AA (DPAK)
Package / Case
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Clasificaciones medioambientales y de exportación
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Otros nombres
SP001558980
2156-IRLR8259PBF-IT
INFINFIRLR8259PBF
Categoría
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/Infineon Technologies IRLR8259PBF
Documentos y medios de comunicación
Datasheets
1(IRL(R,U)8259PBF)
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Product Training Modules
()
Featured Product
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PCN Packaging
1(Package Drawing Update 19/Aug/2015)
HTML Datasheet
1(IRL(R,U)8259PBF)
Simulation Models
1(Infineon IRLR8259 IRLU8259-SM-v01_00- EN Saber File)
Cantidad y precio
-
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