NE3513M04-T2B-A

Resumen del número de pieza

Número de pieza del fabricante

NE3513M04-T2B-A

Explicación

RF MOSFET GAAS HJ-FET 2V 4MMOLD

Descripción detallada

RF Mosfet 2 V 10 mA 12GHz 13dB 125mW 4-Super Mini Mold

Fabricación

Renesas Electronics Corporation

Plazo de entrega estándar

Modelo edacad

Embalaje estándar

310

Inventario de proveedores

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Atributos del producto

Mfr

Renesas Electronics Corporation

Series

-

Package

Bulk

Product Status

Obsolete

Technology

GaAs HJ-FET

Configuration

N-Channel

Frequency

12GHz

Gain

13dB

Voltage - Test

2 V

Current Rating (Amps)

60mA

Noise Figure

0.65dB

Current - Test

10 mA

Power - Output

125mW

Voltage - Rated

4 V

Package / Case

4-SMD, Flat Leads

Supplier Device Package

4-Super Mini Mold

Clasificaciones medioambientales y de exportación

RoHS Status

ROHS3 Compliant

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.21.0075

Otros nombres

2156-NE3513M04-T2B-A-RETR

RENRNSNE3513M04-T2B-A

Categoría

/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/RF FETs, MOSFETs/Renesas Electronics Corporation NE3513M04-T2B-A

Documentos y medios de comunicación

Datasheets

1(NE3513M04-T2B-A)

Cantidad y precio

Cantidad: 310

Precio unitario: $0.97
Embalaje: Bulk
Multiplicador mínimo: 310

Alternativas

-

Wrong Part#Wrong Part#Wrong Part#Wrong Part#Wrong Part#

NE3513M04-T2B-A

Resumen del número de pieza

Atributos del producto

Clasificaciones medioambientales y de exportación

Otros nombres

Categoría

Documentos y medios de comunicación

Cantidad y precio

Alternativas

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