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GermanyBSM600D12P3G001
Resumen del número de pieza
Número de pieza del fabricante
BSM600D12P3G001
Explicación
SIC 2N-CH 1200V 600A MODULE
Descripción detallada
Mosfet Array 1200V (1.2kV) 600A (Tc) 2450W (Tc) Chassis Mount Module
Fabricación
Rohm Semiconductor
Plazo de entrega estándar
19 Weeks
Modelo edacad
Embalaje estándar
4
Inventario de proveedores
Atributos del producto
Mfr
Rohm Semiconductor
Series
-
Package
Bulk
Product Status
Active
Technology
Silicon Carbide (SiC)
Configuration
2 N-Channel (Half Bridge)
FET Feature
-
Drain to Source Voltage (Vdss)
1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
600A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
-
Vgs(th) (Max) @ Id
5.6V @ 182mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
-
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
31000pF @ 10V
Power - Max
2450W (Tc)
Operating Temperature
-40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Chassis Mount
Package / Case
Module
Supplier Device Package
Module
Base Product Number
BSM600
Clasificaciones medioambientales y de exportación
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Otros nombres
-
Categoría
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/FET, MOSFET Arrays/Rohm Semiconductor BSM600D12P3G001
Documentos y medios de comunicación
Datasheets
1(BSM600D12P3G001)
Product Training Modules
()
Video File
()
Featured Product
1(SiC Schottky Barrier Diodes)
HTML Datasheet
1(BSM600D12P3G001)
Cantidad y precio
Cantidad: 1
Precio unitario: $1831.7
Embalaje: Bulk
Multiplicador mínimo: 1
Embalaje: Bulk
Multiplicador mínimo: 1
Alternativas
-