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GermanyBUK762R7-30B118
Resumen del número de pieza
Número de pieza del fabricante
BUK762R7-30B118
Explicación
NOW NEXPERIA BUK762R7-30B 75A, 3
Descripción detallada
N-Channel 30 V 75A (Ta) 300W (Ta) Surface Mount D2PAK
Fabricación
NXP USA Inc.
Plazo de entrega estándar
Modelo edacad
Embalaje estándar
355
Inventario de proveedores
Atributos del producto
Mfr
NXP USA Inc.
Series
-
Package
Bulk
Product Status
Active
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
30 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
75A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
2.7mOhm @ 25A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
91 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
6212 pF @ 25 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
300W (Ta)
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grade
Automotive
Qualification
AEC-Q101
Mounting Type
Surface Mount
Supplier Device Package
D2PAK
Package / Case
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Clasificaciones medioambientales y de exportación
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Otros nombres
NEXNXPBUK762R7-30B118
2156-BUK762R7-30B118
Categoría
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/NXP USA Inc. BUK762R7-30B118
Documentos y medios de comunicación
Datasheets
1(BUK762R7-30B)
HTML Datasheet
1(BUK762R7-30B)
Cantidad y precio
-
Alternativas
-