Resumen del número de pieza

Número de pieza del fabricante
FQAF44N10
Explicación
MOSFET N-CH 100V 33A TO3PF
Descripción detallada
N-Channel 100 V 33A (Tc) 85W (Tc) Through Hole TO-3PF
Fabricación
Fairchild Semiconductor
Plazo de entrega estándar
Modelo edacad
Embalaje estándar
268
Inventario de proveedores

Atributos del producto

Mfr
Fairchild Semiconductor
Series
QFET®
Package
Tube
Product Status
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
100 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
33A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
39mOhm @ 16.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
62 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±25V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
1800 pF @ 25 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
85W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Supplier Device Package
TO-3PF
Package / Case
TO-3P-3 Full Pack

Clasificaciones medioambientales y de exportación

RoHS Status
ROHS3 Compliant
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Otros nombres

FAIFSCFQAF44N10
2156-FQAF44N10-FS

Categoría

/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/Fairchild Semiconductor FQAF44N10

Documentos y medios de comunicación

Datasheets
1(FQAF44N10)

Cantidad y precio

Cantidad: 268
Precio unitario: $1.12
Embalaje: Tube
Multiplicador mínimo: 268

Alternativas

-