English
China
Rusia
Italy
GermanyIRF6892STRPBF
Resumen del número de pieza
Número de pieza del fabricante
IRF6892STRPBF
Explicación
MOSFET N CH 25V 28A S3
Descripción detallada
N-Channel 25 V 28A (Ta), 125A (Tc) 2.1W (Ta), 42W (Tc) Surface Mount DIRECTFET™ S3C
Fabricación
Infineon Technologies
Plazo de entrega estándar
Modelo edacad
Embalaje estándar
4,800
Inventario de proveedores
Atributos del producto
Mfr
Infineon Technologies
Series
HEXFET®
Package
Tape & Reel (TR)
Product Status
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
25 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
28A (Ta), 125A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1.7mOhm @ 28A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.1V @ 50µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
25 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)
±16V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
2510 pF @ 13 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
2.1W (Ta), 42W (Tc)
Operating Temperature
-40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Supplier Device Package
DIRECTFET™ S3C
Package / Case
DirectFET™ Isometric S3C
Clasificaciones medioambientales y de exportación
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Otros nombres
-
Categoría
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/Infineon Technologies IRF6892STRPBF
Documentos y medios de comunicación
Datasheets
1(IRF6892STR (1) PBF)
Other Related Documents
1(IR Part Numbering System)
Product Training Modules
()
Featured Product
1(Data Processing Systems)
PCN Packaging
1(Package Drawing Update 19/Aug/2015)
HTML Datasheet
1(IRF6892STR (1) PBF)
Cantidad y precio
-
Alternativas
Modelo de producto : STD35NF06LT4
Fabricante : STMicroelectronics
Cantidad disponible : 3,188
Precio unitario : $1.54000
Tipo de reemplazo : Similar
Cantidad disponible : 3,188
Precio unitario : $1.54000
Tipo de reemplazo : Similar