Resumen del número de pieza

Número de pieza del fabricante
BUK6E3R2-55C,127
Explicación
MOSFET N-CH 55V 120A I2PAK
Descripción detallada
N-Channel 55 V 120A (Tc) 306W (Tc) Through Hole I2PAK
Fabricación
Nexperia USA Inc.
Plazo de entrega estándar
Modelo edacad
Embalaje estándar
50
Inventario de proveedores

Atributos del producto

Mfr
Nexperia USA Inc.
Series
TrenchMOS™
Package
Tube
Product Status
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
55 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
120A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
3.2mOhm @ 25A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.8V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
258 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±16V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
15300 pF @ 25 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
306W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grade
Automotive
Qualification
AEC-Q101
Mounting Type
Through Hole
Supplier Device Package
I2PAK
Package / Case
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA

Clasificaciones medioambientales y de exportación

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Otros nombres

934064473127
BUK6E3R255C127
568-7505-5-ND
BUK6E3R2-55C,127-ND
1727-5888
568-7505-5
NEXNEXBUK6E3R2-55C,127
2156-BUK6E3R2-55C127-NE

Categoría

/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/Nexperia USA Inc. BUK6E3R2-55C,127

Documentos y medios de comunicación

Datasheets
1(BUK6E3R2-55C)
PCN Obsolescence/ EOL
1(Mid-Year Product Disc 30/Jun/2017)
PCN Packaging
()
HTML Datasheet
1(BUK6E3R2-55C)

Cantidad y precio

-

Alternativas

Modelo de producto : IPI100N06S3L04XK
Fabricante : Infineon Technologies
Cantidad disponible : 82
Precio unitario : $1.28000
Tipo de reemplazo : Similar
Modelo de producto : IPI120N06S402AKSA2
Fabricante : Rochester Electronics, LLC
Cantidad disponible : 10,400
Precio unitario : $1.96000
Tipo de reemplazo : Similar