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GermanyAPTGF90DH60T3G
Resumen del número de pieza
Número de pieza del fabricante
APTGF90DH60T3G
Explicación
IGBT MODULE 600V 110A 416W SP3
Descripción detallada
IGBT Module NPT Asymmetrical Bridge 600 V 110 A 416 W Chassis Mount SP3
Fabricación
Microsemi Corporation
Plazo de entrega estándar
Modelo edacad
Embalaje estándar
1
Inventario de proveedores
Atributos del producto
Mfr
Microsemi Corporation
Series
-
Package
Bulk
Product Status
Obsolete
IGBT Type
NPT
Configuration
Asymmetrical Bridge
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
600 V
Current - Collector (Ic) (Max)
110 A
Power - Max
416 W
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.5V @ 15V, 100A
Current - Collector Cutoff (Max)
250 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce
4.3 nF @ 25 V
Input
Standard
NTC Thermistor
Yes
Operating Temperature
-
Mounting Type
Chassis Mount
Package / Case
SP3
Supplier Device Package
SP3
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Otros nombres
APTGF90DH60T3G-ND
150-APTGF90DH60T3G
Categoría
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/IGBTs/IGBT Modules/Microsemi Corporation APTGF90DH60T3G
Documentos y medios de comunicación
Datasheets
()
Environmental Information
()
PCN Design/Specification
1(SP3F Plastic Frame Update 16/Jul/2015)
PCN Part Status Change
1(Power Module Disc 23/Mar/2016)
HTML Datasheet
()
Cantidad y precio
-
Alternativas
-