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China10ETF12S
Übersicht der Teilenummer
TEILNUMMER DES HERSTELLERS
10ETF12S
BESCHREIBUNG
DIODE GEN PURP 1.2KV 10A TO263AB
DETAILIERTE BESCHREIBUNG
Diode 1200 V 10A Surface Mount TO-263AB (D2PAK)
HERSTELLER
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
STANDARD LEADTIME
EDACAD-MODELL
STANDARDPAKET
1,000
Lagerbestände
Technische Daten
Mfr
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Series
-
Package
Tube
Product Status
Obsolete
Technology
Standard
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)
1200 V
Current - Average Rectified (Io)
10A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If
1.33 V @ 10 A
Speed
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr)
310 ns
Current - Reverse Leakage @ Vr
100 µA @ 1200 V
Capacitance @ Vr, F
-
Mounting Type
Surface Mount
Package / Case
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Supplier Device Package
TO-263AB (D2PAK)
Operating Temperature - Junction
-40°C ~ 150°C
Base Product Number
10ETF12
Umweltverträgliche Exportklassifikationen
RoHS Status
RoHS non-compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.10.0080
Andere Namen
VS-10ETF12S
VS-10ETF12S-ND
VS10ETF12S
*10ETF12S
VS10ETF12S-ND
Kategorie
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Diodes/Rectifiers/Single Diodes/Vishay General Semiconductor - Diodes Division 10ETF12S
Dokumente und Medien
Datasheets
1(10ETFzzS Series)
HTML Datasheet
1(10ETFzzS Series)
Product Drawings
()
Menge Preis
-
Stellvertreter
Teil Nr. : VS-10ETF12STRL-M3
Hersteller. : Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Verfügbare Menge. : 7,900
Einzelpreis. : $1.77000
Ersatztyp. : Parametric Equivalent
Verfügbare Menge. : 7,900
Einzelpreis. : $1.77000
Ersatztyp. : Parametric Equivalent
Teil Nr. : VS-10ETF12STRR-M3
Hersteller. : Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Verfügbare Menge. : 0
Einzelpreis. : $0.77051
Ersatztyp. : Parametric Equivalent
Verfügbare Menge. : 0
Einzelpreis. : $0.77051
Ersatztyp. : Parametric Equivalent