Übersicht der Teilenummer

TEILNUMMER DES HERSTELLERS
SIHU4N80AE-GE3
BESCHREIBUNG
MOSFET N-CH 800V 4.3A IPAK
DETAILIERTE BESCHREIBUNG
N-Channel 800 V 4.3A (Tc) 69W (Tc) Through Hole IPAK (TO-251)
HERSTELLER
Vishay Siliconix
STANDARD LEADTIME
21 Weeks
EDACAD-MODELL
STANDARDPAKET
3,000

Technische Daten

Mfr
Vishay Siliconix
Series
E
Package
Tube
Product Status
Active
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
800 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
4.3A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1.27Ohm @ 2A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
32 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
622 pF @ 100 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
69W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Supplier Device Package
IPAK (TO-251)
Package / Case
TO-251-3 Long Leads, IPak, TO-251AB
Base Product Number
SIHU4

Umweltverträgliche Exportklassifikationen

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Andere Namen

2266-SIHU4N80AE-GE3
SIHU4N80AE-GE3-ND
742-SIHU4N80AE-GE3

Kategorie

/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/Vishay Siliconix SIHU4N80AE-GE3

Dokumente und Medien

Datasheets
1(SIHU4N80E)
HTML Datasheet
1(SIHU4N80E)

Menge Preis

QUANTITÄT: 12000
Einzelpreis: $0.58362
Verpackung: Tube
MinMultiplikator: 1
QUANTITÄT: 6000
Einzelpreis: $0.61186
Verpackung: Tube
MinMultiplikator: 1
QUANTITÄT: 3000
Einzelpreis: $0.64245
Verpackung: Tube
MinMultiplikator: 1
QUANTITÄT: 1000
Einzelpreis: $0.68246
Verpackung: Tube
MinMultiplikator: 1
QUANTITÄT: 500
Einzelpreis: $0.83778
Verpackung: Tube
MinMultiplikator: 1
QUANTITÄT: 100
Einzelpreis: $0.9884
Verpackung: Tube
MinMultiplikator: 1
QUANTITÄT: 10
Einzelpreis: $1.271
Verpackung: Tube
MinMultiplikator: 1
QUANTITÄT: 1
Einzelpreis: $1.55
Verpackung: Tube
MinMultiplikator: 1

Stellvertreter

-