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ChinaIPD60R600CPATMA1
Übersicht der Teilenummer
TEILNUMMER DES HERSTELLERS
IPD60R600CPATMA1
BESCHREIBUNG
MOSFET N-CH 600V 6.1A TO252-3
DETAILIERTE BESCHREIBUNG
N-Channel 600 V 6.1A (Tc) 60W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
HERSTELLER
Infineon Technologies
STANDARD LEADTIME
EDACAD-MODELL
STANDARDPAKET
2,500
Lagerbestände
Technische Daten
Mfr
Infineon Technologies
Series
CoolMOS™ CP
Package
Tape & Reel (TR)
Product Status
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
600 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
6.1A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
600mOhm @ 3.3A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 220µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
27 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
550 pF @ 100 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
60W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Supplier Device Package
PG-TO252-3
Package / Case
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Base Product Number
IPD60R
Umweltverträgliche Exportklassifikationen
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Andere Namen
-
Kategorie
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/Infineon Technologies IPD60R600CPATMA1
Dokumente und Medien
Datasheets
1(IPD60R600CP)
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Featured Product
1(Data Processing Systems)
Menge Preis
-
Stellvertreter
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Einzelpreis. : $1.56000
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Verfügbare Menge. : 0
Einzelpreis. : $0.83016
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Verfügbare Menge. : 5
Einzelpreis. : $2.87000
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