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ChinaIRFBE20PBF-BE3
Übersicht der Teilenummer
TEILNUMMER DES HERSTELLERS
IRFBE20PBF-BE3
BESCHREIBUNG
MOSFET N-CH 800V 1.8A TO220AB
DETAILIERTE BESCHREIBUNG
N-Channel 800 V 1.8A (Tc) 54W (Tc) Through Hole TO-220AB
HERSTELLER
Vishay Siliconix
STANDARD LEADTIME
15 Weeks
EDACAD-MODELL
STANDARDPAKET
50
Lagerbestände
Technische Daten
Mfr
Vishay Siliconix
Series
-
Package
Tube
Product Status
Active
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
800 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
1.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
6.5Ohm @ 1.1A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
38 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
530 pF @ 25 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
54W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Supplier Device Package
TO-220AB
Package / Case
TO-220-3
Base Product Number
IRFBE20
Umweltverträgliche Exportklassifikationen
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Andere Namen
-
Kategorie
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/Vishay Siliconix IRFBE20PBF-BE3
Dokumente und Medien
Datasheets
1(IRFBE20, SiHFBE20)
HTML Datasheet
1(IRFBE20, SiHFBE20)
Menge Preis
QUANTITÄT: 500
Einzelpreis: $0.84474
Verpackung: Tube
MinMultiplikator: 1
Verpackung: Tube
MinMultiplikator: 1
QUANTITÄT: 100
Einzelpreis: $0.9983
Verpackung: Tube
MinMultiplikator: 1
Verpackung: Tube
MinMultiplikator: 1
QUANTITÄT: 10
Einzelpreis: $1.254
Verpackung: Tube
MinMultiplikator: 1
Verpackung: Tube
MinMultiplikator: 1
QUANTITÄT: 1
Einzelpreis: $1.51
Verpackung: Tube
MinMultiplikator: 1
Verpackung: Tube
MinMultiplikator: 1
Stellvertreter
-