Übersicht der Teilenummer

TEILNUMMER DES HERSTELLERS
DMN10H099SFG-13
BESCHREIBUNG
MOSFET N-CH 100V 4.2A PWRDI3333
DETAILIERTE BESCHREIBUNG
N-Channel 100 V 4.2A (Ta) 980mW (Ta) Surface Mount POWERDI3333-8
HERSTELLER
Diodes Incorporated
STANDARD LEADTIME
8 Weeks
EDACAD-MODELL
STANDARDPAKET

Technische Daten

Mfr
Diodes Incorporated
Series
-
Package
Tape & Reel (TR)
Product Status
Active
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
100 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
4.2A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
80mOhm @ 3.3A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
25.2 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
1172 pF @ 50 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
980mW (Ta)
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Supplier Device Package
POWERDI3333-8
Package / Case
8-PowerVDFN
Base Product Number
DMN10

Umweltverträgliche Exportklassifikationen

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095

Andere Namen

-

Kategorie

/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/Diodes Incorporated DMN10H099SFG-13

Dokumente und Medien

Datasheets
1(DMN10H099SFG)
Environmental Information
1(Diodes Environmental Compliance Cert)
PCN Assembly/Origin
1(Mult Dev A/T Site 31/Mar/2021)
HTML Datasheet
1(DMN10H099SFG)

Menge Preis

QUANTITÄT: 30000
Einzelpreis: $0.21663
Verpackung: Tape & Reel (TR)
MinMultiplikator: 3000
QUANTITÄT: 9000
Einzelpreis: $0.21879
Verpackung: Tape & Reel (TR)
MinMultiplikator: 3000
QUANTITÄT: 6000
Einzelpreis: $0.2363
Verpackung: Tape & Reel (TR)
MinMultiplikator: 3000
QUANTITÄT: 3000
Einzelpreis: $0.24942
Verpackung: Tape & Reel (TR)
MinMultiplikator: 3000

Stellvertreter

Teil Nr. : DMN10H099SFG-7
Hersteller. : Diodes Incorporated
Verfügbare Menge. : 1,621
Einzelpreis. : $0.66000
Ersatztyp. : Parametric Equivalent