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ChinaBUT12AI,127
Übersicht der Teilenummer
TEILNUMMER DES HERSTELLERS
BUT12AI,127
BESCHREIBUNG
TRANS NPN 450V 8A TO220AB
DETAILIERTE BESCHREIBUNG
Bipolar (BJT) Transistor NPN 450 V 8 A 110 W Through Hole TO-220AB
HERSTELLER
NXP USA Inc.
STANDARD LEADTIME
EDACAD-MODELL
STANDARDPAKET
5,000
Lagerbestände
Technische Daten
Mfr
NXP USA Inc.
Series
-
Package
Tube
Product Status
Obsolete
Transistor Type
NPN
Current - Collector (Ic) (Max)
8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
450 V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
1.5V @ 860mA, 5A
Current - Collector Cutoff (Max)
1mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
14 @ 1A, 5V
Power - Max
110 W
Frequency - Transition
-
Operating Temperature
150°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Package / Case
TO-220-3
Supplier Device Package
TO-220AB
Base Product Number
BUT12
Umweltverträgliche Exportklassifikationen
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Andere Namen
934050220127
BUT12AI
BUT12AI-ND
Kategorie
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/Bipolar (BJT)/Single Bipolar Transistors/NXP USA Inc. BUT12AI,127
Dokumente und Medien
Datasheets
1(BUT12AI)
Environmental Information
()
PCN Obsolescence/ EOL
1(Multiple Devices 30/Jun/2009)
PCN Packaging
1(All Dev Label Update 15/Dec/2020)
HTML Datasheet
1(BUT12AI)
Menge Preis
-
Stellvertreter
Teil Nr. : MJE18008G
Hersteller. : onsemi
Verfügbare Menge. : 2,902
Einzelpreis. : $2.33000
Ersatztyp. : Direct
Verfügbare Menge. : 2,902
Einzelpreis. : $2.33000
Ersatztyp. : Direct
Teil Nr. : BUL58D
Hersteller. : STMicroelectronics
Verfügbare Menge. : 0
Einzelpreis. : $1.37000
Ersatztyp. : Similar
Verfügbare Menge. : 0
Einzelpreis. : $1.37000
Ersatztyp. : Similar