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ChinaF4100R12KS4BOSA1
Übersicht der Teilenummer
TEILNUMMER DES HERSTELLERS
F4100R12KS4BOSA1
BESCHREIBUNG
IGBT MOD 1200V 130A 660W
DETAILIERTE BESCHREIBUNG
IGBT Module Three Phase Inverter 1200 V 130 A 660 W Chassis Mount Module
HERSTELLER
Infineon Technologies
STANDARD LEADTIME
26 Weeks
EDACAD-MODELL
STANDARDPAKET
10
Lagerbestände
Technische Daten
Mfr
Infineon Technologies
Series
-
Package
Tray
Product Status
Active
IGBT Type
-
Configuration
Three Phase Inverter
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
1200 V
Current - Collector (Ic) (Max)
130 A
Power - Max
660 W
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
3.75V @ 15V, 100A
Current - Collector Cutoff (Max)
5 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce
6.8 nF @ 25 V
Input
Standard
NTC Thermistor
Yes
Operating Temperature
-40°C ~ 125°C
Mounting Type
Chassis Mount
Package / Case
Module
Supplier Device Package
Module
Base Product Number
F4100R
Umweltverträgliche Exportklassifikationen
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
Not Applicable
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Andere Namen
F4-100R12KS4-ND
SP000100434
F4-100R12KS4
2156-F4100R12KS4BOSA1-448
Kategorie
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/IGBTs/IGBT Modules/Infineon Technologies F4100R12KS4BOSA1
Dokumente und Medien
Datasheets
1(F4-100R12KS4)
Environmental Information
1(RoHS Certificate)
HTML Datasheet
1(F4-100R12KS4)
Menge Preis
QUANTITÄT: 30
Einzelpreis: $205.73633
Verpackung: Tray
MinMultiplikator: 1
Verpackung: Tray
MinMultiplikator: 1
QUANTITÄT: 10
Einzelpreis: $213.773
Verpackung: Tray
MinMultiplikator: 1
Verpackung: Tray
MinMultiplikator: 1
QUANTITÄT: 1
Einzelpreis: $228.24
Verpackung: Tray
MinMultiplikator: 1
Verpackung: Tray
MinMultiplikator: 1
Stellvertreter
-