Übersicht der Teilenummer

TEILNUMMER DES HERSTELLERS
SIHG47N60AEL-GE3
BESCHREIBUNG
MOSFET N-CH 600V 47A TO247AC
DETAILIERTE BESCHREIBUNG
N-Channel 600 V 47A (Tc) 379W (Tc) Through Hole TO-247AC
HERSTELLER
Vishay Siliconix
STANDARD LEADTIME
EDACAD-MODELL
STANDARDPAKET
25

Technische Daten

Mfr
Vishay Siliconix
Series
EL
Package
Tube
Product Status
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
600 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
47A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
65mOhm @ 23.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
222 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
4600 pF @ 100 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
379W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Supplier Device Package
TO-247AC
Package / Case
TO-247-3
Base Product Number
SIHG47

Umweltverträgliche Exportklassifikationen

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Andere Namen

SIHG47N60AEL-GE3CT
SIHG47N60AEL-GE3TRINACTIVE
SIHG47N60AEL-GE3DKR-ND
SIHG47N60AEL-GE3TR-ND
SIHG47N60AEL-GE3CT-ND
SIHG47N60AEL-GE3DKR
SIHG47N60AEL-GE3DKRINACTIVE
SIHG47N60AEL-GE3TR

Kategorie

/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/Vishay Siliconix SIHG47N60AEL-GE3

Dokumente und Medien

Datasheets
1(SIHG47N60AEL ~)
HTML Datasheet
1(SIHG47N60AEL ~)

Menge Preis

QUANTITÄT: 10
Einzelpreis: $8.036
Verpackung: Tube
MinMultiplikator: 1
QUANTITÄT: 1
Einzelpreis: $9.37
Verpackung: Tube
MinMultiplikator: 1

Stellvertreter

Teil Nr. : STW58N65DM2AG
Hersteller. : STMicroelectronics
Verfügbare Menge. : 0
Einzelpreis. : $7.75102
Ersatztyp. : Similar
Teil Nr. : STW62N65M5
Hersteller. : STMicroelectronics
Verfügbare Menge. : 600
Einzelpreis. : $13.92000
Ersatztyp. : Similar
Teil Nr. : TK39N60X,S1F
Hersteller. : Toshiba Semiconductor and Storage
Verfügbare Menge. : 30
Einzelpreis. : $6.93000
Ersatztyp. : Similar