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ChinaNE5550779A-T1A-A
Übersicht der Teilenummer
TEILNUMMER DES HERSTELLERS
NE5550779A-T1A-A
BESCHREIBUNG
N-CHANNEL POWER MOSFET
DETAILIERTE BESCHREIBUNG
RF Mosfet 9 V 140 mA 900MHz 22dB 38.5dBm 79A
HERSTELLER
Renesas Electronics Corporation
STANDARD LEADTIME
EDACAD-MODELL
STANDARDPAKET
77
Lagerbestände
Technische Daten
Mfr
Renesas Electronics Corporation
Series
-
Package
Bulk
Product Status
Active
Technology
LDMOS
Configuration
-
Frequency
900MHz
Gain
22dB
Voltage - Test
9 V
Current Rating (Amps)
2.1A
Noise Figure
-
Current - Test
140 mA
Power - Output
38.5dBm
Voltage - Rated
30 V
Grade
-
Qualification
-
Mounting Type
Surface Mount
Package / Case
4-SMD, Flat Leads
Supplier Device Package
79A
Umweltverträgliche Exportklassifikationen
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Andere Namen
RENRNSNE5550779A-T1A-A
2156-NE5550779A-T1A-A
Kategorie
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/RF FETs, MOSFETs/Renesas Electronics Corporation NE5550779A-T1A-A
Dokumente und Medien
Datasheets
1(NE5550779A-T1-A)
Menge Preis
QUANTITÄT: 77
Einzelpreis: $3.91
Verpackung: Bulk
MinMultiplikator: 77
Verpackung: Bulk
MinMultiplikator: 77
Stellvertreter
-