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ChinaNE3512S02-T1C-A
Übersicht der Teilenummer
TEILNUMMER DES HERSTELLERS
NE3512S02-T1C-A
BESCHREIBUNG
RF MOSFET HFET 2V S02
DETAILIERTE BESCHREIBUNG
RF Mosfet 2 V 10 mA 12GHz 13.5dB S02
HERSTELLER
Renesas Electronics Corporation
STANDARD LEADTIME
EDACAD-MODELL
STANDARDPAKET
460
Lagerbestände
Technische Daten
Mfr
Renesas Electronics Corporation
Series
-
Package
Bulk
Product Status
Obsolete
Technology
HFET
Frequency
12GHz
Gain
13.5dB
Voltage - Test
2 V
Current Rating (Amps)
70mA
Noise Figure
0.35dB
Current - Test
10 mA
Power - Output
-
Voltage - Rated
4 V
Package / Case
4-SMD, Flat Leads
Supplier Device Package
S02
Umweltverträgliche Exportklassifikationen
RoHS Status
ROHS3 Compliant
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
Andere Namen
2156-NE3512S02-T1C-A-RETR-ND
2156-NE3512S02-T1C-A
RENRNSNE3512S02-T1C-A
Kategorie
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/RF FETs, MOSFETs/Renesas Electronics Corporation NE3512S02-T1C-A
Dokumente und Medien
Datasheets
1(NE3512S02-T1D-A)
Menge Preis
QUANTITÄT: 460
Einzelpreis: $0.65
Verpackung: Bulk
MinMultiplikator: 460
Verpackung: Bulk
MinMultiplikator: 460
Stellvertreter
-