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ChinaIXFD80N10Q-8XQ
Übersicht der Teilenummer
TEILNUMMER DES HERSTELLERS
IXFD80N10Q-8XQ
BESCHREIBUNG
MOSFET N-CHANNEL 100V DIE
DETAILIERTE BESCHREIBUNG
N-Channel 100 V Die
HERSTELLER
IXYS
STANDARD LEADTIME
EDACAD-MODELL
STANDARDPAKET
Lagerbestände
Technische Daten
Mfr
IXYS
Series
HiPerFET™
Package
Bulk
Product Status
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
100 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
-
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
-
Rds On (Max) @ Id, Vgs
-
Vgs(th) (Max) @ Id
-
Vgs (Max)
-
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
-
Operating Temperature
150°C (TJ)
Mounting Type
-
Supplier Device Package
Die
Package / Case
Die
Base Product Number
IXFD80N10Q
Umweltverträgliche Exportklassifikationen
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Andere Namen
-
Kategorie
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/IXYS IXFD80N10Q-8XQ
Dokumente und Medien
PCN Obsolescence/ EOL
1(Mult Mosfet EOL 22/Mar/2017)
Menge Preis
-
Stellvertreter
-