Übersicht der Teilenummer

TEILNUMMER DES HERSTELLERS
IRF200P222
BESCHREIBUNG
MOSFET N-CH 200V 182A TO247AC
DETAILIERTE BESCHREIBUNG
N-Channel 200 V 182A (Tc) 556W (Tc) Through Hole TO-247AC
HERSTELLER
Infineon Technologies
STANDARD LEADTIME
20 Weeks
EDACAD-MODELL
STANDARDPAKET
25

Technische Daten

Mfr
Infineon Technologies
Series
StrongIRFET™
Package
Tube
Product Status
Active
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
200 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
182A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
6.6mOhm @ 82A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 270µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
203 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
9820 pF @ 50 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
556W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Supplier Device Package
TO-247AC
Package / Case
TO-247-3
Base Product Number
IRF200

Umweltverträgliche Exportklassifikationen

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Andere Namen

IRF200P222-ND
SP001582092
448-IRF200P222

Kategorie

/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/Infineon Technologies IRF200P222

Dokumente und Medien

Datasheets
1(IRF200P222)
Other Related Documents
1(IR Part Numbering System)
Environmental Information
1(RoHS Certificate)
HTML Datasheet
1(IRF200P222)
Simulation Models
1(IRF200P222 Saber File)

Menge Preis

QUANTITÄT: 1000
Einzelpreis: $5.39005
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MinMultiplikator: 1
QUANTITÄT: 500
Einzelpreis: $5.98894
Verpackung: Tube
MinMultiplikator: 1
QUANTITÄT: 100
Einzelpreis: $6.7875
Verpackung: Tube
MinMultiplikator: 1
QUANTITÄT: 25
Einzelpreis: $7.586
Verpackung: Tube
MinMultiplikator: 1
QUANTITÄT: 1
Einzelpreis: $9.5
Verpackung: Tube
MinMultiplikator: 1

Stellvertreter

-