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ChinaMBR60035CTRL
Übersicht der Teilenummer
TEILNUMMER DES HERSTELLERS
MBR60035CTRL
BESCHREIBUNG
DIODE MOD SCHOTT 35V 300A 2TOWER
DETAILIERTE BESCHREIBUNG
Diode Array 1 Pair Common Anode 35 V 300A Chassis Mount Twin Tower
HERSTELLER
GeneSiC Semiconductor
STANDARD LEADTIME
EDACAD-MODELL
MBR60035CTRL Models
STANDARDPAKET
Lagerbestände
Technische Daten
Mfr
GeneSiC Semiconductor
Series
-
Package
Bulk
Product Status
Obsolete
Diode Configuration
1 Pair Common Anode
Technology
Schottky
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)
35 V
Current - Average Rectified (Io) (per Diode)
300A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If
600 mV @ 300 A
Speed
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Current - Reverse Leakage @ Vr
3 mA @ 35 V
Operating Temperature - Junction
-55°C ~ 150°C
Mounting Type
Chassis Mount
Package / Case
Twin Tower
Supplier Device Package
Twin Tower
Umweltverträgliche Exportklassifikationen
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.10.0080
Andere Namen
-
Kategorie
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Diodes/Rectifiers/Diode Arrays/GeneSiC Semiconductor MBR60035CTRL
Dokumente und Medien
EDA Models
1(MBR60035CTRL Models)
Menge Preis
-
Stellvertreter
Teil Nr. : MBR60035CTR
Hersteller. : GeneSiC Semiconductor
Verfügbare Menge. : 0
Einzelpreis. : $107.86775
Ersatztyp. : Similar
Verfügbare Menge. : 0
Einzelpreis. : $107.86775
Ersatztyp. : Similar