Übersicht der Teilenummer

TEILNUMMER DES HERSTELLERS
SIHP21N80AEF-GE3
BESCHREIBUNG
E SERIES POWER MOSFET WITH FAST
DETAILIERTE BESCHREIBUNG
N-Channel 800 V 16.3A (Tc) 179W (Tc) Through Hole TO-220AB
HERSTELLER
Vishay Siliconix
STANDARD LEADTIME
21 Weeks
EDACAD-MODELL
STANDARDPAKET
1,000

Technische Daten

Mfr
Vishay Siliconix
Series
EF
Package
Bulk
Product Status
Active
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
800 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
16.3A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
250mOhm @ 8.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
71 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
1511 pF @ 100 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
179W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Supplier Device Package
TO-220AB
Package / Case
TO-220-3

Umweltverträgliche Exportklassifikationen

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Andere Namen

-

Kategorie

/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/Vishay Siliconix SIHP21N80AEF-GE3

Dokumente und Medien

Datasheets
1(SIHP21N80AEF)
Featured Product
1(MOSFETs in 5G)
HTML Datasheet
1(SIHP21N80AEF)

Menge Preis

QUANTITÄT: 5000
Einzelpreis: $1.28625
Verpackung: Bulk
MinMultiplikator: 1
QUANTITÄT: 1000
Einzelpreis: $1.42383
Verpackung: Bulk
MinMultiplikator: 1
QUANTITÄT: 100
Einzelpreis: $1.8707
Verpackung: Bulk
MinMultiplikator: 1
QUANTITÄT: 10
Einzelpreis: $2.312
Verpackung: Bulk
MinMultiplikator: 1
QUANTITÄT: 1
Einzelpreis: $2.75
Verpackung: Bulk
MinMultiplikator: 1

Stellvertreter

Teil Nr. : SIHG21N80AEF-GE3
Hersteller. : Vishay Siliconix
Verfügbare Menge. : 464
Einzelpreis. : $3.24000
Ersatztyp. : Parametric Equivalent