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ChinaIXFK32N100X
Übersicht der Teilenummer
TEILNUMMER DES HERSTELLERS
IXFK32N100X
BESCHREIBUNG
MOSFET N-CH 1000V 32A TO264
DETAILIERTE BESCHREIBUNG
N-Channel 1000 V 32A (Tc) 890W (Tc) Through Hole TO-264
HERSTELLER
IXYS
STANDARD LEADTIME
47 Weeks
EDACAD-MODELL
STANDARDPAKET
Lagerbestände
Technische Daten
Mfr
IXYS
Series
HiPerFET™, Ultra X
Package
Tube
Product Status
Active
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
1000 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
32A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
220mOhm @ 16A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
6V @ 4mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
130 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
4075 pF @ 25 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
890W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Supplier Device Package
TO-264
Package / Case
TO-264-3, TO-264AA
Base Product Number
IXFK32
Umweltverträgliche Exportklassifikationen
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Andere Namen
-
Kategorie
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/IXYS IXFK32N100X
Dokumente und Medien
Datasheets
1(IXFx32N100X(HV) Datasheet)
Environmental Information
1(Ixys IC REACH)
Featured Product
1(1000 V Ultra-Junction X-Class HiPerFET™ Power MOSFETs)
Menge Preis
QUANTITÄT: 500
Einzelpreis: $14.56482
Verpackung: Tube
MinMultiplikator: 1
Verpackung: Tube
MinMultiplikator: 1
QUANTITÄT: 100
Einzelpreis: $17.0681
Verpackung: Tube
MinMultiplikator: 1
Verpackung: Tube
MinMultiplikator: 1
QUANTITÄT: 25
Einzelpreis: $18.206
Verpackung: Tube
MinMultiplikator: 1
Verpackung: Tube
MinMultiplikator: 1
QUANTITÄT: 1
Einzelpreis: $21.96
Verpackung: Tube
MinMultiplikator: 1
Verpackung: Tube
MinMultiplikator: 1
Stellvertreter
-