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ChinaNE3503M04-T2B-A
Übersicht der Teilenummer
TEILNUMMER DES HERSTELLERS
NE3503M04-T2B-A
BESCHREIBUNG
RF MOSFET HFET 2V M04
DETAILIERTE BESCHREIBUNG
RF Mosfet 2 V 10 mA 12GHz 12dB M04
HERSTELLER
Renesas Electronics Corporation
STANDARD LEADTIME
EDACAD-MODELL
STANDARDPAKET
365
Lagerbestände
Technische Daten
Mfr
Renesas Electronics Corporation
Series
-
Package
Bulk
Product Status
Obsolete
Technology
HFET
Frequency
12GHz
Gain
12dB
Voltage - Test
2 V
Current Rating (Amps)
70mA
Noise Figure
0.45dB
Current - Test
10 mA
Power - Output
-
Voltage - Rated
4 V
Package / Case
4-SMD, Flat Leads
Supplier Device Package
M04
Umweltverträgliche Exportklassifikationen
RoHS Status
ROHS3 Compliant
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
Andere Namen
RENRNSNE3503M04-T2B-A
2156-NE3503M04-T2B-A-RETR
Kategorie
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/RF FETs, MOSFETs/Renesas Electronics Corporation NE3503M04-T2B-A
Dokumente und Medien
Datasheets
1(Datasheet)
Menge Preis
QUANTITÄT: 365
Einzelpreis: $0.82
Verpackung: Bulk
MinMultiplikator: 365
Verpackung: Bulk
MinMultiplikator: 365
Stellvertreter
-