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ChinaSI2392DS-T1-GE3
Übersicht der Teilenummer
TEILNUMMER DES HERSTELLERS
SI2392DS-T1-GE3
BESCHREIBUNG
MOSFET N-CH 100V 3.1A SOT-23
DETAILIERTE BESCHREIBUNG
N-Channel 100 V 3.1A (Tc) 1.25W (Ta), 2.5W (Tc) Surface Mount SOT-23
HERSTELLER
Vishay Siliconix
STANDARD LEADTIME
EDACAD-MODELL
STANDARDPAKET
3,000
Lagerbestände
Technische Daten
Mfr
Vishay Siliconix
Series
TrenchFET®
Package
Tape & Reel (TR)
Product Status
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
100 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
3.1A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
126mOhm @ 2A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
10.4 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
196 pF @ 50 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
1.25W (Ta), 2.5W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Supplier Device Package
SOT-23
Package / Case
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Base Product Number
SI2392
Umweltverträgliche Exportklassifikationen
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Andere Namen
SI2392DS-T1-GE3TR
SI2392DS-T1-GE3DKR
SI2392DS-T1-GE3CT
Kategorie
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/Vishay Siliconix SI2392DS-T1-GE3
Dokumente und Medien
Datasheets
1(SI2392DS)
Environmental Information
()
Menge Preis
-
Stellvertreter
Teil Nr. : SI2392ADS-T1-GE3
Hersteller. : Vishay Siliconix
Verfügbare Menge. : 0
Einzelpreis. : $0.52000
Ersatztyp. : Direct
Verfügbare Menge. : 0
Einzelpreis. : $0.52000
Ersatztyp. : Direct
Teil Nr. : FDN8601
Hersteller. : onsemi
Verfügbare Menge. : 6,704
Einzelpreis. : $0.98000
Ersatztyp. : Similar
Verfügbare Menge. : 6,704
Einzelpreis. : $0.98000
Ersatztyp. : Similar