Übersicht der Teilenummer

TEILNUMMER DES HERSTELLERS
IRLI640GPBF
BESCHREIBUNG
MOSFET N-CH 200V 9.9A TO220-3
DETAILIERTE BESCHREIBUNG
N-Channel 200 V 9.9A (Tc) 40W (Tc) Through Hole TO-220-3
HERSTELLER
Vishay Siliconix
STANDARD LEADTIME
10 Weeks
EDACAD-MODELL
IRLI640GPBF Models
STANDARDPAKET
50

Technische Daten

Mfr
Vishay Siliconix
Series
-
Package
Tube
Product Status
Active
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
200 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
9.9A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4V, 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
180mOhm @ 5.9A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
66 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
1800 pF @ 25 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
40W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Supplier Device Package
TO-220-3
Package / Case
TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Base Product Number
IRLI640

Umweltverträgliche Exportklassifikationen

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Andere Namen

-

Kategorie

/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/Vishay Siliconix IRLI640GPBF

Dokumente und Medien

Datasheets
1(IRLI640G)
PCN Design/Specification
1(Advisory 20/Mar/2019)
PCN Assembly/Origin
1(Mult Devices 18/Jul/2017)
HTML Datasheet
1(IRLI640G)
EDA Models
1(IRLI640GPBF Models)
Product Drawings
()

Menge Preis

QUANTITÄT: 5000
Einzelpreis: $1.49875
Verpackung: Tube
MinMultiplikator: 1
QUANTITÄT: 2000
Einzelpreis: $1.56218
Verpackung: Tube
MinMultiplikator: 1
QUANTITÄT: 1000
Einzelpreis: $1.65906
Verpackung: Tube
MinMultiplikator: 1
QUANTITÄT: 500
Einzelpreis: $1.93758
Verpackung: Tube
MinMultiplikator: 1
QUANTITÄT: 100
Einzelpreis: $2.1798
Verpackung: Tube
MinMultiplikator: 1
QUANTITÄT: 50
Einzelpreis: $2.543
Verpackung: Tube
MinMultiplikator: 1
QUANTITÄT: 1
Einzelpreis: $3.21
Verpackung: Tube
MinMultiplikator: 1

Stellvertreter

-