Übersicht der Teilenummer

TEILNUMMER DES HERSTELLERS
SUM90100E-GE3
BESCHREIBUNG
N-CHANNEL 200-V (D-S) MOSFET D2P
DETAILIERTE BESCHREIBUNG
N-Channel 200 V 150A (Tc) 375W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
HERSTELLER
Vishay Siliconix
STANDARD LEADTIME
62 Weeks
EDACAD-MODELL
STANDARDPAKET
800

Technische Daten

Mfr
Vishay Siliconix
Series
TrenchFET®
Package
Bulk
Product Status
Active
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
200 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
150A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
7.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
11.4mOhm @ 16A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
110 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
3930 pF @ 100 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
375W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Supplier Device Package
TO-263 (D2PAK)
Package / Case
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB

Umweltverträgliche Exportklassifikationen

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Andere Namen

-

Kategorie

/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/Vishay Siliconix SUM90100E-GE3

Dokumente und Medien

Datasheets
1(SUM90100E)
HTML Datasheet
1(SUM90100E)

Menge Preis

QUANTITÄT: 1600
Einzelpreis: $1.9964
Verpackung: Bulk
MinMultiplikator: 1
QUANTITÄT: 800
Einzelpreis: $2.33156
Verpackung: Bulk
MinMultiplikator: 1
QUANTITÄT: 10
Einzelpreis: $3.242
Verpackung: Bulk
MinMultiplikator: 1
QUANTITÄT: 1
Einzelpreis: $3.86
Verpackung: Bulk
MinMultiplikator: 1

Stellvertreter

-