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China2SC3583-T1B-A
Übersicht der Teilenummer
TEILNUMMER DES HERSTELLERS
2SC3583-T1B-A
BESCHREIBUNG
2SC3583 - MD
DETAILIERTE BESCHREIBUNG
RF Transistor NPN 10V 65mA 9GHz 200mW Surface Mount SOT23-3 (TO-236)
HERSTELLER
Renesas Electronics Corporation
STANDARD LEADTIME
EDACAD-MODELL
STANDARDPAKET
666
Lagerbestände
Technische Daten
Mfr
Renesas Electronics Corporation
Series
-
Package
Bulk
Product Status
Obsolete
Transistor Type
NPN
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
10V
Frequency - Transition
9GHz
Noise Figure (dB Typ @ f)
1.2dB @ 1GHz
Gain
13dB
Power - Max
200mW
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
50 @ 20mA, 8V
Current - Collector (Ic) (Max)
65mA
Operating Temperature
150°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Package / Case
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Supplier Device Package
SOT23-3 (TO-236)
Umweltverträgliche Exportklassifikationen
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
Andere Namen
RENRNS2SC3583-T1B-A
2156-2SC3583-T1B-A
Kategorie
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/Bipolar (BJT)/Bipolar RF Transistors/Renesas Electronics Corporation 2SC3583-T1B-A
Dokumente und Medien
Datasheets
1(2SC3583-T1B-A Datasheet)
Menge Preis
QUANTITÄT: 666
Einzelpreis: $0.45
Verpackung: Bulk
MinMultiplikator: 666
Verpackung: Bulk
MinMultiplikator: 666
Stellvertreter
-