Übersicht der Teilenummer

TEILNUMMER DES HERSTELLERS
NTE2378
BESCHREIBUNG
MOSFET N-CHANNEL 900V 5A TO3P
DETAILIERTE BESCHREIBUNG
N-Channel 900 V 5A (Ta) 120W (Tc) Through Hole TO-3P
HERSTELLER
NTE Electronics, Inc
STANDARD LEADTIME
EDACAD-MODELL
STANDARDPAKET
1

Technische Daten

Mfr
NTE Electronics, Inc
Series
-
Package
Bag
Product Status
Active
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
900 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
5A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
3.6Ohm @ 2A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 1mA
Vgs (Max)
±30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
700 pF @ 20 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
120W (Tc)
Operating Temperature
150°C
Mounting Type
Through Hole
Supplier Device Package
TO-3P
Package / Case
TO-3P-3, SC-65-3

Umweltverträgliche Exportklassifikationen

RoHS Status
ROHS3 Compliant
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Andere Namen

-

Kategorie

/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/NTE Electronics, Inc NTE2378

Dokumente und Medien

Datasheets
1(NTE23xx Datasheet)
Environmental Information
()
HTML Datasheet
1(NTE23xx Datasheet)

Menge Preis

QUANTITÄT: 100
Einzelpreis: $5.79
Verpackung: Bag
MinMultiplikator: 1
QUANTITÄT: 50
Einzelpreis: $5.93
Verpackung: Bag
MinMultiplikator: 1
QUANTITÄT: 20
Einzelpreis: $6.28
Verpackung: Bag
MinMultiplikator: 1
QUANTITÄT: 10
Einzelpreis: $6.63
Verpackung: Bag
MinMultiplikator: 1
QUANTITÄT: 1
Einzelpreis: $6.98
Verpackung: Bag
MinMultiplikator: 1

Stellvertreter

-