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ChinaIXFH50N85X
Übersicht der Teilenummer
TEILNUMMER DES HERSTELLERS
IXFH50N85X
BESCHREIBUNG
MOSFET N-CH 850V 50A TO247
DETAILIERTE BESCHREIBUNG
N-Channel 850 V 50A (Tc) 890W (Tc) Through Hole TO-247 (IXTH)
HERSTELLER
IXYS
STANDARD LEADTIME
47 Weeks
EDACAD-MODELL
IXFH50N85X Models
STANDARDPAKET
Lagerbestände
Technische Daten
Mfr
IXYS
Series
HiPerFET™, Ultra X
Package
Tube
Product Status
Active
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
850 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
50A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
105mOhm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5.5V @ 4mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
152 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
4480 pF @ 25 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
890W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Supplier Device Package
TO-247 (IXTH)
Package / Case
TO-247-3
Base Product Number
IXFH50
Umweltverträgliche Exportklassifikationen
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
California Prop 65
Andere Namen
-
Kategorie
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/IXYS IXFH50N85X
Dokumente und Medien
Datasheets
1(IXFT50N85XHV, IXF(H,K)50N85X)
Environmental Information
1(Ixys IC REACH)
HTML Datasheet
1(IXFT50N85XHV, IXF(H,K)50N85X)
EDA Models
1(IXFH50N85X Models)
Menge Preis
QUANTITÄT: 510
Einzelpreis: $11.94916
Verpackung: Tube
MinMultiplikator: 1
Verpackung: Tube
MinMultiplikator: 1
QUANTITÄT: 120
Einzelpreis: $13.18525
Verpackung: Tube
MinMultiplikator: 1
Verpackung: Tube
MinMultiplikator: 1
QUANTITÄT: 30
Einzelpreis: $14.00933
Verpackung: Tube
MinMultiplikator: 1
Verpackung: Tube
MinMultiplikator: 1
QUANTITÄT: 1
Einzelpreis: $17.31
Verpackung: Tube
MinMultiplikator: 1
Verpackung: Tube
MinMultiplikator: 1
Stellvertreter
-