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ChinaFF200R17KE3S4HOSA1
Übersicht der Teilenummer
TEILNUMMER DES HERSTELLERS
FF200R17KE3S4HOSA1
BESCHREIBUNG
IGBT MODULE VCES 1200V 200A
DETAILIERTE BESCHREIBUNG
IGBT Module Trench Field Stop Half Bridge Inverter 1700 V 310 A 1250 W Chassis Mount Module
HERSTELLER
Infineon Technologies
STANDARD LEADTIME
26 Weeks
EDACAD-MODELL
STANDARDPAKET
10
Lagerbestände
Technische Daten
Mfr
Infineon Technologies
Series
C
Package
Tray
Product Status
Active
IGBT Type
Trench Field Stop
Configuration
Half Bridge Inverter
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
1700 V
Current - Collector (Ic) (Max)
310 A
Power - Max
1250 W
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.45V @ 15V, 200A
Current - Collector Cutoff (Max)
3 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce
18 nF @ 25 V
Input
Standard
NTC Thermistor
No
Operating Temperature
-40°C ~ 125°C (TJ)
Mounting Type
Chassis Mount
Package / Case
Module
Supplier Device Package
Module
Base Product Number
FF200R17
Umweltverträgliche Exportklassifikationen
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Andere Namen
2156-FF200R17KE3S4HOSA1-448
FF200R17KE3_S4
SP000092028
FF200R17KE3_S4-ND
Kategorie
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/IGBTs/IGBT Modules/Infineon Technologies FF200R17KE3S4HOSA1
Dokumente und Medien
Datasheets
1(FF200R17KE4)
Environmental Information
1(RoHS Certificate)
HTML Datasheet
1(FF200R17KE4)
Menge Preis
QUANTITÄT: 30
Einzelpreis: $158.30333
Verpackung: Tray
MinMultiplikator: 1
Verpackung: Tray
MinMultiplikator: 1
QUANTITÄT: 10
Einzelpreis: $164.487
Verpackung: Tray
MinMultiplikator: 1
Verpackung: Tray
MinMultiplikator: 1
QUANTITÄT: 1
Einzelpreis: $175.62
Verpackung: Tray
MinMultiplikator: 1
Verpackung: Tray
MinMultiplikator: 1
Stellvertreter
-