English
Spain
Rusia
Italy
ChinaFDME820NZT
Übersicht der Teilenummer
TEILNUMMER DES HERSTELLERS
FDME820NZT
BESCHREIBUNG
SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI
DETAILIERTE BESCHREIBUNG
N-Channel 20 V 9A (Ta) 2.1W (Ta) Surface Mount MicroFet 1.6x1.6 Thin
HERSTELLER
Fairchild Semiconductor
STANDARD LEADTIME
EDACAD-MODELL
STANDARDPAKET
760
Lagerbestände
Technische Daten
Mfr
Fairchild Semiconductor
Series
PowerTrench®
Package
Bulk
Product Status
Active
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
20 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
9A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
18mOhm @ 9A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
8.5 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)
±12V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
865 pF @ 10 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
2.1W (Ta)
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Supplier Device Package
MicroFet 1.6x1.6 Thin
Package / Case
6-PowerUFDFN
Umweltverträgliche Exportklassifikationen
ECCN
EAR99
HTSUS
8542.39.0001
Andere Namen
FAIFSCFDME820NZT
2156-FDME820NZT
Kategorie
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/Fairchild Semiconductor FDME820NZT
Dokumente und Medien
Datasheets
1(Datasheet)
Menge Preis
QUANTITÄT: 760
Einzelpreis: $0.39
Verpackung: Bulk
MinMultiplikator: 760
Verpackung: Bulk
MinMultiplikator: 760
Stellvertreter
-