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ChinaGD30MPS12J
Übersicht der Teilenummer
TEILNUMMER DES HERSTELLERS
GD30MPS12J
BESCHREIBUNG
DIODE SIL CARB 1.2KV 30A TO263-7
DETAILIERTE BESCHREIBUNG
Diode 1200 V 30A Surface Mount TO-263-7
HERSTELLER
GeneSiC Semiconductor
STANDARD LEADTIME
18 Weeks
EDACAD-MODELL
STANDARDPAKET
1,000
Lagerbestände
Technische Daten
Mfr
GeneSiC Semiconductor
Series
SiC Schottky MPS™
Package
Tube
Product Status
Active
Technology
SiC (Silicon Carbide) Schottky
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)
1200 V
Current - Average Rectified (Io)
30A
Speed
No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr)
0 ns
Capacitance @ Vr, F
-
Mounting Type
Surface Mount
Package / Case
TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Supplier Device Package
TO-263-7
Operating Temperature - Junction
175°C
Umweltverträgliche Exportklassifikationen
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.10.0080
Andere Namen
-
Kategorie
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Diodes/Rectifiers/Single Diodes/GeneSiC Semiconductor GD30MPS12J
Dokumente und Medien
-
Menge Preis
QUANTITÄT: 1000
Einzelpreis: $7.56202
Verpackung: Tube
MinMultiplikator: 1000
Verpackung: Tube
MinMultiplikator: 1000
Stellvertreter
-