English
Spain
Rusia
Italy
ChinaIRF840PBF
Übersicht der Teilenummer
TEILNUMMER DES HERSTELLERS
IRF840PBF
BESCHREIBUNG
MOSFET N-CH 500V 8A TO220AB
DETAILIERTE BESCHREIBUNG
N-Channel 500 V 8A (Tc) 125W (Tc) Through Hole TO-220AB
HERSTELLER
Infineon Technologies
STANDARD LEADTIME
EDACAD-MODELL
IRF840PBF Models
STANDARDPAKET
1,000
Lagerbestände
Technische Daten
Mfr
Infineon Technologies
Series
HEXFET®
Package
Tube
Product Status
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
500 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
8A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
850mOhm @ 4.8A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
63 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
1300 pF @ 25 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
125W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Supplier Device Package
TO-220AB
Package / Case
TO-220-3
Umweltverträgliche Exportklassifikationen
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Andere Namen
448-IRF840PBF
SP001565770
Kategorie
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/Infineon Technologies IRF840PBF
Dokumente und Medien
EDA Models
1(IRF840PBF Models)
Menge Preis
-
Stellvertreter
Teil Nr. : IRF840PBF
Hersteller. : Vishay Siliconix
Verfügbare Menge. : 3,877
Einzelpreis. : $1.86000
Ersatztyp. : Parametric Equivalent
Verfügbare Menge. : 3,877
Einzelpreis. : $1.86000
Ersatztyp. : Parametric Equivalent
Teil Nr. : IRF840PBF-BE3
Hersteller. : Vishay Siliconix
Verfügbare Menge. : 3,369
Einzelpreis. : $1.86000
Ersatztyp. : Parametric Equivalent
Verfügbare Menge. : 3,369
Einzelpreis. : $1.86000
Ersatztyp. : Parametric Equivalent