NE3515S02-T1D-A

Übersicht der Teilenummer

TEILNUMMER DES HERSTELLERS

NE3515S02-T1D-A

BESCHREIBUNG

RF MOSFET HFET 2V S02

DETAILIERTE BESCHREIBUNG

RF Mosfet 2 V 10 mA 12GHz 12.5dB 14dBm S02

HERSTELLER

Renesas Electronics Corporation

STANDARD LEADTIME

EDACAD-MODELL

STANDARDPAKET

417

Lagerbestände

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Technische Daten

Mfr

Renesas Electronics Corporation

Series

-

Package

Bulk

Product Status

Obsolete

Technology

HFET

Frequency

12GHz

Gain

12.5dB

Voltage - Test

2 V

Current Rating (Amps)

88mA

Noise Figure

0.3dB

Current - Test

10 mA

Power - Output

14dBm

Voltage - Rated

4 V

Package / Case

4-SMD, Flat Leads

Supplier Device Package

S02

Umweltverträgliche Exportklassifikationen

RoHS Status

Not applicable

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.21.0075

Andere Namen

RENRNSNE3515S02-T1D-A

2156-NE3515S02-T1D-A-RETR-ND

2156-NE3515S02-T1D-A

Kategorie

/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/RF FETs, MOSFETs/Renesas Electronics Corporation NE3515S02-T1D-A

Dokumente und Medien

Datasheets

1(Datasheet)

Menge Preis

QUANTITÄT: 417

Einzelpreis: $0.72
Verpackung: Bulk
MinMultiplikator: 417

Stellvertreter

-

Wrong Part#Wrong Part#Wrong Part#Wrong Part#Wrong Part#

NE3515S02-T1D-A

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Andere Namen

Kategorie

Dokumente und Medien

Menge Preis

Stellvertreter

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