Übersicht der Teilenummer

TEILNUMMER DES HERSTELLERS
TSM80N08CZ C0G
BESCHREIBUNG
MOSFET N-CHANNEL 75V 80A TO220
DETAILIERTE BESCHREIBUNG
N-Channel 75 V 80A (Tc) 113.6W (Tc) Through Hole TO-220
HERSTELLER
Taiwan Semiconductor Corporation
STANDARD LEADTIME
EDACAD-MODELL
STANDARDPAKET
50

Technische Daten

Mfr
Taiwan Semiconductor Corporation
Series
-
Package
Tube
Product Status
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
75 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
80A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
8mOhm @ 40A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
91.5 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
3905 pF @ 30 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
113.6W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Supplier Device Package
TO-220
Package / Case
TO-220-3
Base Product Number
TSM80

Umweltverträgliche Exportklassifikationen

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Andere Namen

TSM80N08CZ C0G-ND
TSM80N08CZC0G

Kategorie

/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/Taiwan Semiconductor Corporation TSM80N08CZ C0G

Dokumente und Medien

Datasheets
1(TSM80N08)
Environmental Information
()
PCN Obsolescence/ EOL
1(Mult Dev 17/Sep/2021)
HTML Datasheet
1(TSM80N08)

Menge Preis

-

Stellvertreter

Teil Nr. : DMNH6008SCTQ
Hersteller. : Diodes Incorporated
Verfügbare Menge. : 362
Einzelpreis. : $1.88000
Ersatztyp. : Similar
Teil Nr. : IRF1010EZPBF
Hersteller. : Infineon Technologies
Verfügbare Menge. : 10,262
Einzelpreis. : $1.62000
Ersatztyp. : Similar
Teil Nr. : IRF1010NPBF
Hersteller. : Infineon Technologies
Verfügbare Menge. : 5,624
Einzelpreis. : $1.50000
Ersatztyp. : Similar
Teil Nr. : IRFB3607PBF
Hersteller. : Infineon Technologies
Verfügbare Menge. : 3,757
Einzelpreis. : $1.20000
Ersatztyp. : Similar