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ChinaIPA50R950CE
Übersicht der Teilenummer
TEILNUMMER DES HERSTELLERS
IPA50R950CE
BESCHREIBUNG
MOSFET N-CH 500V 4.3A TO220-FP
DETAILIERTE BESCHREIBUNG
N-Channel 500 V 4.3A (Tc) 25.7W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-31
HERSTELLER
Infineon Technologies
STANDARD LEADTIME
EDACAD-MODELL
STANDARDPAKET
50
Lagerbestände
Technische Daten
Mfr
Infineon Technologies
Series
CoolMOS™
Package
Tube
Product Status
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
500 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
4.3A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
13V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
950mOhm @ 1.2A, 13V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 100µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
10.5 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
231 pF @ 100 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
25.7W (Tc)
Operating Temperature
-40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Supplier Device Package
PG-TO220-3-31
Package / Case
TO-220-3 Full Pack
Base Product Number
IPA50R
Umweltverträgliche Exportklassifikationen
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Andere Namen
IFEINFIPA50R950CE
SP000939328
IPA50R950CEXKSA1
IPA50R950CEIN
2156-IPA50R950CE
Kategorie
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/Infineon Technologies IPA50R950CE
Dokumente und Medien
Datasheets
1(500V CoolMOS CE Brief)
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Featured Product
1(Data Processing Systems)
HTML Datasheet
1(500V CoolMOS CE Brief)
Menge Preis
-
Stellvertreter
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