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ChinaFF150R12KE3B8BDLA1
Übersicht der Teilenummer
TEILNUMMER DES HERSTELLERS
FF150R12KE3B8BDLA1
BESCHREIBUNG
IGBT MODULE
DETAILIERTE BESCHREIBUNG
IGBT Module Half Bridge 1200 V 225 A 1250 W Chassis Mount AG-62MM
HERSTELLER
Infineon Technologies
STANDARD LEADTIME
EDACAD-MODELL
STANDARDPAKET
1
Lagerbestände
Technische Daten
Mfr
Infineon Technologies
Series
-
Package
Bulk
Product Status
Active
IGBT Type
-
Configuration
Half Bridge
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
1200 V
Current - Collector (Ic) (Max)
225 A
Power - Max
1250 W
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
3.7V @ 15V, 150A
Current - Collector Cutoff (Max)
5 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce
11 nF @ 25 V
Input
Standard
NTC Thermistor
No
Operating Temperature
-40°C ~ 125°C (TJ)
Mounting Type
Chassis Mount
Package / Case
Module
Supplier Device Package
AG-62MM
Umweltverträgliche Exportklassifikationen
RoHS Status
Not applicable
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
Vendor Undefined
ECCN
EAR99
HTSUS
8542.39.0001
Andere Namen
INFINFFF150R12KE3B8BDLA1
2156-FF150R12KE3B8BDLA1
Kategorie
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/IGBTs/IGBT Modules/Infineon Technologies FF150R12KE3B8BDLA1
Dokumente und Medien
Datasheets
1(FF150R12KS4B2HOSA1 Datasheet)
Menge Preis
QUANTITÄT: 4
Einzelpreis: $89.58
Verpackung: Bulk
MinMultiplikator: 4
Verpackung: Bulk
MinMultiplikator: 4
Stellvertreter
-