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ChinaSISA34DN-T1-GE3
Übersicht der Teilenummer
TEILNUMMER DES HERSTELLERS
SISA34DN-T1-GE3
BESCHREIBUNG
MOSFET N-CH 30V 40A PPAK1212-8
DETAILIERTE BESCHREIBUNG
N-Channel 30 V 40A (Tc) 20.8W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8
HERSTELLER
Vishay Siliconix
STANDARD LEADTIME
EDACAD-MODELL
STANDARDPAKET
3,000
Lagerbestände
Technische Daten
Mfr
Vishay Siliconix
Series
TrenchFET® Gen IV
Package
Tape & Reel (TR)
Product Status
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
30 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
40A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
6.7mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
12 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)
+20V, -16V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
1100 pF @ 15 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
20.8W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Supplier Device Package
PowerPAK® 1212-8
Package / Case
PowerPAK® 1212-8
Base Product Number
SISA34
Umweltverträgliche Exportklassifikationen
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Andere Namen
SISA34DN-T1-GE3CT
SISA34DN-T1-GE3TR
SISA34DN-T1-GE3DKR
Kategorie
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/Vishay Siliconix SISA34DN-T1-GE3
Dokumente und Medien
Datasheets
1(SISA34DN)
PCN Obsolescence/ EOL
1(Mult Mosfet EOL 30/Aug/2018)
HTML Datasheet
1(SISA34DN)
Menge Preis
QUANTITÄT: 10
Einzelpreis: $0.364
Verpackung: Cut Tape (CT)
MinMultiplikator: 1
Verpackung: Cut Tape (CT)
MinMultiplikator: 1
QUANTITÄT: 1
Einzelpreis: $0.55
Verpackung: Cut Tape (CT)
MinMultiplikator: 1
Verpackung: Cut Tape (CT)
MinMultiplikator: 1
QUANTITÄT: 10
Einzelpreis: $0.364
Verpackung: Digi-Reel®
MinMultiplikator: 1
Verpackung: Digi-Reel®
MinMultiplikator: 1
QUANTITÄT: 1
Einzelpreis: $0.55
Verpackung: Digi-Reel®
MinMultiplikator: 1
Verpackung: Digi-Reel®
MinMultiplikator: 1
Stellvertreter
-