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ChinaMT54V512H18E1F-5
Übersicht der Teilenummer
TEILNUMMER DES HERSTELLERS
MT54V512H18E1F-5
BESCHREIBUNG
IC SRAM 9MBIT HSTL 165FBGA
DETAILIERTE BESCHREIBUNG
SRAM - Synchronous Memory IC 9Mbit HSTL 200 MHz 165-FBGA (13x15)
HERSTELLER
Micron Technology Inc.
STANDARD LEADTIME
EDACAD-MODELL
STANDARDPAKET
12
Lagerbestände
Technische Daten
Mfr
Micron Technology Inc.
Series
QDR™
Package
Bulk
Product Status
Active
allaboutcomponents.com Programmable
Not Verified
Memory Type
Volatile
Memory Format
SRAM
Technology
SRAM - Synchronous
Memory Size
9Mbit
Memory Organization
512K x 18
Memory Interface
HSTL
Clock Frequency
200 MHz
Write Cycle Time - Word, Page
-
Voltage - Supply
2.4V ~ 2.6V
Operating Temperature
0°C ~ 70°C (TA)
Mounting Type
Surface Mount
Package / Case
165-TBGA
Supplier Device Package
165-FBGA (13x15)
Umweltverträgliche Exportklassifikationen
RoHS Status
Not applicable
Moisture Sensitivity Level (MSL)
3 (168 Hours)
REACH Status
Vendor Undefined
ECCN
3A991B2A
HTSUS
8542.32.0041
Andere Namen
2156-MT54V512H18E1F-5
CYPMCNMT54V512H18E1F-5
Kategorie
/Product Index/Integrated Circuits (ICs)/Memory/Memory/Micron Technology Inc. MT54V512H18E1F-5
Dokumente und Medien
Datasheets
1(MT54V512H18EF-10)
Menge Preis
QUANTITÄT: 12
Einzelpreis: $26.07
Verpackung: Bulk
MinMultiplikator: 12
Verpackung: Bulk
MinMultiplikator: 12
Stellvertreter
-