Übersicht der Teilenummer

TEILNUMMER DES HERSTELLERS
IXTA110N12T2
BESCHREIBUNG
MOSFET N-CH 120V 110A TO263
DETAILIERTE BESCHREIBUNG
N-Channel 120 V 110A (Tc) 517W (Tc) Surface Mount TO-263AA
HERSTELLER
IXYS
STANDARD LEADTIME
EDACAD-MODELL
STANDARDPAKET

Technische Daten

Mfr
IXYS
Series
TrenchT2™
Package
Tube
Product Status
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
120 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
110A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
14mOhm @ 55A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
120 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
6570 pF @ 25 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
517W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Supplier Device Package
TO-263AA
Package / Case
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Base Product Number
IXTA110

Umweltverträgliche Exportklassifikationen

Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
California Prop 65

Andere Namen

-

Kategorie

/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/IXYS IXTA110N12T2

Dokumente und Medien

Datasheets
1(IXT(A,P)110N12T2)
PCN Obsolescence/ EOL
1(Mult DEV EOL/OBS 08/Nov/2023)
HTML Datasheet
1(IXT(A,P)110N12T2)

Menge Preis

-

Stellvertreter

Teil Nr. : IXTA80N12T2
Hersteller. : IXYS
Verfügbare Menge. : 0
Einzelpreis. : $2.30097
Ersatztyp. : MFR Recommended
Teil Nr. : IPB038N12N3GATMA1
Hersteller. : Infineon Technologies
Verfügbare Menge. : 1,625
Einzelpreis. : $6.16000
Ersatztyp. : Similar
Teil Nr. : IPB144N12N3GATMA1
Hersteller. : Infineon Technologies
Verfügbare Menge. : 624
Einzelpreis. : $1.97000
Ersatztyp. : Similar