Übersicht der Teilenummer

TEILNUMMER DES HERSTELLERS
SIHU2N80AE-GE3
BESCHREIBUNG
MOSFET N-CH 800V 2.9A TO251AA
DETAILIERTE BESCHREIBUNG
N-Channel 800 V 2.9A (Tc) 62.5W (Tc) Through Hole TO-251AA
HERSTELLER
Vishay Siliconix
STANDARD LEADTIME
21 Weeks
EDACAD-MODELL
STANDARDPAKET
3,000

Technische Daten

Mfr
Vishay Siliconix
Series
E
Package
Tube
Product Status
Active
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
800 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
2.9A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
2.9Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
10.5 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
180 pF @ 100 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
62.5W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Supplier Device Package
TO-251AA
Package / Case
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Base Product Number
SIHU2

Umweltverträgliche Exportklassifikationen

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Andere Namen

-

Kategorie

/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/Vishay Siliconix SIHU2N80AE-GE3

Dokumente und Medien

Datasheets
1(SIHU2N80AE-GE3)
Featured Product
1(MOSFETs in 5G)

Menge Preis

QUANTITÄT: 12000
Einzelpreis: $0.35969
Verpackung: Tube
MinMultiplikator: 1
QUANTITÄT: 6000
Einzelpreis: $0.37709
Verpackung: Tube
MinMultiplikator: 1
QUANTITÄT: 3000
Einzelpreis: $0.39595
Verpackung: Tube
MinMultiplikator: 1
QUANTITÄT: 1000
Einzelpreis: $0.4206
Verpackung: Tube
MinMultiplikator: 1
QUANTITÄT: 500
Einzelpreis: $0.51632
Verpackung: Tube
MinMultiplikator: 1
QUANTITÄT: 100
Einzelpreis: $0.6092
Verpackung: Tube
MinMultiplikator: 1
QUANTITÄT: 10
Einzelpreis: $0.783
Verpackung: Tube
MinMultiplikator: 1
QUANTITÄT: 1
Einzelpreis: $0.96
Verpackung: Tube
MinMultiplikator: 1

Stellvertreter

-