Übersicht der Teilenummer

TEILNUMMER DES HERSTELLERS
TK2R4E08QM,S1X
BESCHREIBUNG
UMOS10 TO-220AB 80V 2.4MOHM
DETAILIERTE BESCHREIBUNG
N-Channel 80 V 120A (Tc) 300W (Tc) Through Hole TO-220
HERSTELLER
Toshiba Semiconductor and Storage
STANDARD LEADTIME
52 Weeks
EDACAD-MODELL
STANDARDPAKET
50

Technische Daten

Mfr
Toshiba Semiconductor and Storage
Series
U-MOSX-H
Package
Tube
Product Status
Active
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
80 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
120A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
2.44mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 2.2mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
178 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
13000 pF @ 40 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
300W (Tc)
Operating Temperature
175°C
Mounting Type
Through Hole
Supplier Device Package
TO-220
Package / Case
TO-220-3

Umweltverträgliche Exportklassifikationen

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Andere Namen

TK2R4E08QM,S1X(S
264-TK2R4E08QMS1X
264-TK2R4E08QM,S1X
264-TK2R4E08QM,S1X-ND

Kategorie

/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/Toshiba Semiconductor and Storage TK2R4E08QM,S1X

Dokumente und Medien

Featured Product
1(80 V UMOS-X Power MOSFETs)

Menge Preis

QUANTITÄT: 5000
Einzelpreis: $1.43
Verpackung: Tube
MinMultiplikator: 1
QUANTITÄT: 2000
Einzelpreis: $1.49052
Verpackung: Tube
MinMultiplikator: 1
QUANTITÄT: 1000
Einzelpreis: $1.58295
Verpackung: Tube
MinMultiplikator: 1
QUANTITÄT: 500
Einzelpreis: $1.8487
Verpackung: Tube
MinMultiplikator: 1
QUANTITÄT: 100
Einzelpreis: $2.0798
Verpackung: Tube
MinMultiplikator: 1
QUANTITÄT: 50
Einzelpreis: $2.4264
Verpackung: Tube
MinMultiplikator: 1
QUANTITÄT: 1
Einzelpreis: $3.06
Verpackung: Tube
MinMultiplikator: 1

Stellvertreter

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