Letzte Updates
20250807
Sprache
Deutschland
English
Spain
Rusia
Italy
China
Elektronische Nachrichten
Lageranfrage online
NXH80B120H2Q0SNG
Übersicht der Teilenummer
TEILNUMMER DES HERSTELLERS
NXH80B120H2Q0SNG
BESCHREIBUNG
PIM POWER MODULE
DETAILIERTE BESCHREIBUNG
IGBT Module Dual Boost Chopper 1200 V 41 A 103 W Chassis Mount 22-PIM/Q0BOOST (55x32.5)
HERSTELLER
onsemi
STANDARD LEADTIME
EDACAD-MODELL
STANDARDPAKET
1
Lagerbestände
>>>Zum Überprüfen klicken<<<
Technische Daten
Mfr
onsemi
Series
-
Package
Tray
Product Status
Obsolete
IGBT Type
-
Configuration
Dual Boost Chopper
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
1200 V
Current - Collector (Ic) (Max)
41 A
Power - Max
103 W
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.5V @ 15V, 40A
Current - Collector Cutoff (Max)
200 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce
9.7 nF @ 25 V
Input
Standard
NTC Thermistor
Yes
Operating Temperature
-40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Chassis Mount
Package / Case
Module
Supplier Device Package
22-PIM/Q0BOOST (55x32.5)
Umweltverträgliche Exportklassifikationen
RoHS Status
ROHS3 Compliant
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Andere Namen
-
Kategorie
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/IGBTs/IGBT Modules/onsemi NXH80B120H2Q0SNG
Dokumente und Medien
Datasheets
1(NXH80B120H2Q0)
Environmental Information
()
PCN Obsolescence/ EOL
1(Mult Dev EOL 8/Apr/2021)
PCN Assembly/Origin
1(Assembly Change 14/Nov/2022)
HTML Datasheet
1(NXH80B120H2Q0)
Menge Preis
-
Stellvertreter
Teil Nr. : NXH80B120MNQ0SNG
Hersteller. : onsemi
Verfügbare Menge. : 0
Einzelpreis. : $84.59000
Ersatztyp. : Similar
Ähnliche Produkte
1824-632-S-12
HW-25-20-S-S-290-SM
381
RNCF2512DTE4K30
IXTY18P10T