Übersicht der Teilenummer

TEILNUMMER DES HERSTELLERS
SIHD6N62ET1-GE3
BESCHREIBUNG
MOSFET N-CH 620V 6A TO252AA
DETAILIERTE BESCHREIBUNG
N-Channel 620 V 6A (Tc) 78W (Tc) Surface Mount TO-252AA
HERSTELLER
Vishay Siliconix
STANDARD LEADTIME
10 Weeks
EDACAD-MODELL
STANDARDPAKET
2,000

Technische Daten

Mfr
Vishay Siliconix
Series
E
Package
Tape & Reel (TR)
Product Status
Active
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
620 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
6A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
900mOhm @ 3A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
34 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
578 pF @ 100 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
78W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Supplier Device Package
TO-252AA
Package / Case
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Base Product Number
SIHD6

Umweltverträgliche Exportklassifikationen

Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Andere Namen

SIHD6N62ET1-GE3DKR
SIHD6N62ET1-GE3CT
SIHD6N62ET1-GE3-ND
SIHD6N62ET1-GE3TR

Kategorie

/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/Vishay Siliconix SIHD6N62ET1-GE3

Dokumente und Medien

Datasheets
1(SIHD6N62E-GE3)
PCN Design/Specification
1(Reel Design Change 29/Dec/2022)
HTML Datasheet
1(SIHD6N62E-GE3)

Menge Preis

QUANTITÄT: 10000
Einzelpreis: $0.58988
Verpackung: Tape & Reel (TR)
MinMultiplikator: 2000
QUANTITÄT: 6000
Einzelpreis: $0.61842
Verpackung: Tape & Reel (TR)
MinMultiplikator: 2000
QUANTITÄT: 2000
Einzelpreis: $0.64935
Verpackung: Tape & Reel (TR)
MinMultiplikator: 2000
QUANTITÄT: 1
Einzelpreis: $1.57
Verpackung: Cut Tape (CT)
MinMultiplikator: 1
QUANTITÄT: 1
Einzelpreis: $1.57
Verpackung: Digi-Reel®
MinMultiplikator: 1

Stellvertreter

Teil Nr. : STB6NK60ZT4
Hersteller. : STMicroelectronics
Verfügbare Menge. : 33
Einzelpreis. : $2.57000
Ersatztyp. : Similar